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2015年11月

2015年11月 9日 (月)

アンプ開発報告

引き続きパワーアンプの開発をしています。
昨日きょうでデバイスの違いによるひずみ率の測定をし、おおむねデバイスと定数が決まりました。

基本構成はMOS-FET金田式で、FETはNチャネルのみで波形上下をまかないます。
動作はA級15Wとし、アイドリングは1Aで、電流駆動形式です。
クリップ直前の最大波形とひずみ率は以下の通りです。



F0015tek
 図1.1KHz


F0016tek
 図2.10KHz


F0017tek
 図3.20KHz


F0018tek
 図4.30KHz


F0019tek
 図5.40KHz

20KHzで+側の頂点付近がひずみはじめてるのがわかりますね。
このときの出力はおよそ26Wでひずみ率は約0.6%です。

Photo
 図6.ひずみ率 


ひずみ率は良くもわるくもびっくりするような結果ではありませんが、部品の入手性を考慮して、
秋葉原で入手可能な部品を何種類か購入して選定した結果です。
近年の金田式アンプは以前に比べて数値的な性能にはあまりこだわっていないようで、本家にくらべても遜色のない性能だと思います。
音質はもちろんとってもいいです(^-^) 

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